ufs 4 top banner pc

Kioxia เปิดตัวอุปกรณ์ Next-Generation UFS เวอร์ชัน 4.0 ความเร็ว 4640 MB/s

Byคณิตกร

การพัฒนาเทคโนโลยี Universal Flash Storage[1] (UFS) ไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่องโดย Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศเปิดตัวอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า อุปกรณ์เหล่านี้ให้ความเร็วในการโอนหน่วยเก็บข้อมูลแบบฝังตัวที่รวดเร็วด้วยขนาดแพ็คเกจที่เล็ก และมีเป้าหมายสำหรับแอพพลิเคชั่นมือถือที่หลากหลายรุ่นต่อไป รวมถึงสมาร์ทโฟนระดับแนวหน้า ประสิทธิภาพที่ได้รับการปรับปรุงจากผลิตภัณฑ์ UFS ของ Kioxia ช่วยให้แอปพลิเคชันเหล่านี้สามารถใช้ประโยชน์ด้านการเชื่อมต่อของ 5G ซึ่งทำให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้น ลดเวลาหน่วง และปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้

UFS 4 feature
Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0

อุปกรณ์ UFS เวอร์ชัน 4.0 จาก Kioxia รวมหน่วยความจำแฟลช BiCS FLASH™ 3D ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็คเกจมาตรฐาน JEDEC โดย UFS 4.0 รวม MIPI M-PHY 5.0 และ UniPro 2.0 และรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซตามทฤษฎีสูงถึง 23.2Gbps ต่อเลนหรือ 46.4Gbps ต่ออุปกรณ์ UFS 4.0 เข้ากันได้กับ UFS 3.1 แบบย้อนหลัง

ufs timeline 5 pc

คุณสมบัติที่สำคัญ ได้แก่

  • การปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานเหนือรุ่นก่อนหน้า[3]: การเขียนตามลำดับ +18%, การเขียนแบบสุ่ม +30% และการอ่านแบบสุ่ม +13%
  • รองรับฟีเจอร์ High Speed ​​Link Startup Sequence (HS-LSS): โดย UFS ทั่วไป การเริ่มต้นลิงก์  (ลำดับการเริ่มต้นของ M-PHY และ UniPro) ระหว่างอุปกรณ์และโฮสต์จะทำงานที่ PWM-G1 ความเร็วต่ำ (3~9Mbps[4]) แต่ด้วย HS-LSS สามารถทำงานได้ที่ความเร็ว HS-G1 อัตรา A (1248Mbps) ซึ่งคาดว่าจะลดเวลาในการเริ่มต้นลิงก์ได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับวิธีการทั่วไป
  • ปรับปรุงความปลอดภัย: ในการใช้ Advanced RPMB (Replay Protected Memory Block) เพื่อการเข้าถึงการอ่านและเขียนข้อมูลความปลอดภัยที่รวดเร็วยิ่งขึ้น เช่น ข้อมูลประจำตัวของผู้ใช้ในพื้นที่ RPMB และ RPMB Purge เพื่อให้แน่ใจว่ามีการล้างข้อมูลที่ถูกละทิ้งอย่างปลอดภัยและรวดเร็ว
  • รองรับ Extended Initiator ID (Ext-IID): มีวัตถุประสงค์เพื่อกับ Multi Circular Queue (MCQ) ที่โฮสต์คอนโทรลเลอร์ UFS 4.0 เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานแบบสุ่ม

ข้อมูลผลิตภัณฑ์ของอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

หมายเหตุ

[1] Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับกลุ่มผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแบบฝังตัวที่สร้างขึ้นตามข้อกำหนดมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากเป็นอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงสนับสนุนการดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนพร้อมกันระหว่างหน่วยประมวลผลโฮสต์และอุปกรณ์ UFS

[2] อุปกรณ์ใหม่ล่าสุดของบริษัทรองรับสามความจุ: 256 กิกะไบต์ (GB), 512GB และ 1 เทราไบต์ (TB) การจัดส่งตัวอย่างของอุปกรณ์ 256GB และ 512GB เริ่มในเดือนนี้ โดยมีกำหนดจัดส่งอุปกรณ์ 1TB หลังจากเดือนตุลาคม ข้อมูลจำเพาะของตัวอย่างอาจแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์

[3] เมื่อเปรียบเทียบอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB ใหม่ของ Kioxia 4.0 และอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS เวอร์ชัน 4.0 ขนาด 512 GB รุ่นก่อนหน้าของ Kioxia (หมายเลขชิ้นส่วน THGJFJT2T85BAT0)

[4] ความเร็วในการสื่อสาร PWM-G1 ขึ้นอยู่กับโฮสต์และอุปกรณ์ 

*ในการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ทุกครั้ง: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่จำนวนความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับการจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนหัว การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้รับจากสภาพแวดล้อมการทดสอบเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านหรือเขียนในอุปกรณ์แต่ละตัว ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกในด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งอุทิศให้กับการพัฒนา การผลิต และการขายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดร์ฟ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory รุ่นก่อนหน้าได้แยกตัวออกจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าต่อสังคมที่ใช้หน่วยความจำ เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3 มิติที่เป็นนวัตกรรมใหม่ของ Kioxia หรือ BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของพื้นที่จัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันที่มีความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง, พีซี, SSD, ยานยนต์และศูนย์ข้อมูล