วิกฤตชิปหน่วยความจำรอบใหม่: กำลังการผลิตปี 2026 ถูกจองเกลี้ยง ยักษ์ใหญ่แห่เซ็นสัญญาผูกขาดล่วงหน้า 2 ปี
คลื่นความต้องการมหาศาลจากเทคโนโลยี AI กำลังผลักดันให้อุตสาหกรรมหน่วยความจำเข้าสู่ภาวะขาดแคลนครั้งประวัติศาสตร์ ล่าสุดมีรายงานระบุว่ากำลังการผลิตของผู้ผลิตรายใหญ่สำหรับปี 2026 ถูกจองเต็มแทบทั้งหมดแล้ว สถานการณ์ดังกล่าวบีบให้กลุ่มผู้ให้บริการคลาวด์ระดับโลก (Hyperscale CSPs) ทั้งจากสหรัฐฯ และจีน ต้องเร่งเปิดโต๊ะเจรจาขอทำสัญญาซื้อขายระยะยาว (LTA) นานกว่า 1 ปี โดยหวังลากยาวข้อตกลงไปจนถึงปี 2027-2028 เพื่อประกันความเสี่ยงด้านวัตถุดิบ
สงครามแย่งชิงทรัพยากร: เมื่อ “เงินสด” อาจไม่เพียงพอ แรงขับเคลื่อนหลักจาก AI ทำให้เซิร์ฟเวอร์กลายเป็นตลาดปลายทางที่สำคัญที่สุด ส่งผลให้ผู้ให้บริการคลาวด์รายใหญ่ (CSPs) ซึ่งถือครองงบประมาณมหาศาล เริ่มกักตุนสินค้าคงคลังสูงกว่าความต้องการใช้งานจริงเพื่อความปลอดภัย การแย่งชิงนี้รุนแรงถึงขั้นที่ว่า เพียงแค่การเสนอราคาสูงอาจไม่การันตีว่าจะได้ของ
รายงานจากวงการอุตสาหกรรมชี้ว่า ผู้ผลิตหน่วยความจำเริ่มมีอำนาจต่อรองเหนือกว่าผู้ซื้ออย่างชัดเจน (Seller’s Market) รูปแบบการตั้งราคาของอุตสาหกรรมกำลังถูกรื้อระบบใหม่ ราคาสินค้าในปี 2026 มีแนวโน้มพุ่งสูงขึ้นต่อเนื่องและไม่มีทีท่าจะลดลงแม้ในช่วงครึ่งปีหลัง ยิ่งไปกว่านั้น เพื่อให้ได้มาซึ่ง “ตั๋วสัญญา” ระยะยาว กลุ่มทุนเทคโนโลยีบางรายพร้อมเสนอเงื่อนไขพิเศษ เช่น การจ่ายเงินล่วงหน้า (Prepayment) หรือแม้กระทั่งช่วยออกทุนสนับสนุนการซื้อเครื่องจักรให้ผู้ผลิต เพื่อแลกกับการล็อกโควตาการผลิตล่วงหน้าไปจนถึงปี 2028
เสียงสะท้อนจากผู้นำอุตสาหกรรม: ยุคแห่งการ “สั่งก่อน สร้างทีหลัง” ผัน เจี้ยนเฉิง (Pan Jiancheng) ซีอีโอของ Phison Electronics ผู้ผลิตคอนโทรลเลอร์หน่วยความจำรายใหญ่ ระบุว่าราคาสินค้ากลุ่ม NAND Flash กำลังพุ่งสูงอย่างรวดเร็ว และเรากำลังจะเข้าสู่ยุคที่ “ลูกค้าต้องหอบเงินสดมาขอร้องให้โรงงานช่วยผลิต” ในขณะที่ เฉิน ลี่ไป่ (Chen Libai) ประธานกรรมการ ADATA Technology ยืนยันว่า ยักษ์ใหญ่ CSP ทุกรายล้วนต้องการเซ็นสัญญาระยะยาวเกิน 1 ปี แต่ในความเป็นจริง มีเพียง 1-2 รายเท่านั้นที่มีโอกาสทำสำเร็จ
“สัญญา LTA กลายเป็นเหมือนความฝันสำหรับผู้ซื้อส่วนใหญ่ ผู้ซื้อทั่วไปแทบหมดสิทธิ์ ส่วนคู่ค้าที่มีความสัมพันธ์อันดีอาจเจรจาได้เป็นรายไตรมาส แต่ส่วนใหญ่แล้วต้องลุ้นกันเดือนต่อเดือน” เฉิน ลี่ไป่ กล่าวเสริม
ข้อจำกัดด้านการผลิต: โรงงานใหม่ยังไม่พร้อมกู้วิกฤต ในฝั่งของผู้ผลิต แผนการขยายกำลังการผลิตยังไม่สามารถตอบสนองความต้องการได้ทันท่วงที
- SK Hynix: ไม่มีแผนขยายกำลังการผลิตเวเฟอร์สำหรับ NAND ในปี 2026 โดยจะทุ่มทรัพยากรไปที่หน่วยความจำความเร็วสูง (HBM) และ DRAM เป็นหลัก โรงงานใหม่ M15X ที่ชองจูจะถูกใช้ผลิต HBM โดยเฉพาะ ซึ่งคาดว่าจะเริ่มเดินเครื่องได้เร็วที่สุดต้นปี 2026
- Samsung Electronics และ Micron: การลงทุนสร้างโรงงานใหม่กว่าจะแล้วเสร็จและเริ่มผลิตได้ต้องรอถึงครึ่งหลังของปี 2027 ทำให้อุปทานส่วนเพิ่มในช่วงปี 2026-2027 มีจำกัดมาก
สถานการณ์นี้ส่งสัญญาณว่า อุตสาหกรรมหน่วยความจำกำลังเปลี่ยนผ่านจากวงจรวัฏจักรขึ้นลงแบบเดิมเข้าสู่โมเดลธุรกิจแบบ “รับคำสั่งซื้อก่อน แล้วจึงขยายกำลังผลิต” ซึ่งจะส่งผลให้ราคาในตลาดสัญญาซื้อขายล่วงหน้า (Contract Price) มีโอกาสปรับตัวสูงขึ้นอีกถึง 50% ในช่วง 6-9 เดือนข้างหน้า เพื่อไล่ตามราคาตลาดปัจจุบัน (Spot Price) ที่พุ่งสูงไปก่อนแล้ว
ข้อมูล: DigiTimes