NVIDIA จับมือ TSMC ทดลองใช้ซิลิกอนคาร์ไบด์ใน Interposer สำหรับขั้นตอน CoWoS Packaging ของชิป Rubin เพื่อประสิทธิภาพ AI ที่เหนือกว่า
NVIDIA ร่วมกับ TSMC ผู้ผลิตชิปรายใหญ่จากไต้หวัน กำลังอยู่ในขั้นตอนวิจัยและพัฒนา (R&D) เพื่อนำซิลิกอนคาร์ไบด์ (Silicon Carbide หรือ SiC) มาใช้ในส่วน interposer ของกระบวนการ CoWoS Packaging สำหรับชิป Rubin ซึ่งเป็นชิป AI รุ่นใหม่ที่คาดว่าจะเปิดตัวในปี 2026 ตามข้อมูลจากสื่อไต้หวันและการพูดถึงบนแพลตฟอร์ม X การเปลี่ยนมาใช้ SiC คาดว่าจะเริ่มใช้งานจริงได้ราวปี 2027 โดยมีเป้าหมายเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการระบายความร้อนและความทนทานของชิปที่ใช้ใน data center AI ขนาดใหญ่ ซึ่งต้องรับมือกับความร้อนสูงจากความหนาแน่นของการประมวลผลที่เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง
ทำไมต้องซิลิกอนคาร์ไบด์?
SiC เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติเด่นในการทนความร้อนและกระจายความร้อนได้ดีกว่า silicon แบบดั้งเดิม ซึ่งเหมาะสำหรับการใช้งานใน interposer ที่ทำหน้าที่เชื่อมต่อชิปหลายตัวในแพ็คเกจ CoWoS โดยเฉพาะในชิป AI อย่าง Rubin ที่ออกแบบมาเพื่อการประมวลผลงานหนักใน data center การนำ SiC มาใช้จะช่วยลดปัญหาการบิดเบี้ยวจากความร้อน (thermal warping) และเพิ่มประสิทธิภาพพลังงาน ซึ่งเป็นความท้าทายใหญ่ของชิป AI รุ่นใหม่
ความสำคัญต่ออนาคตของ AI
ชิป Rubin ซึ่งเป็นรุ่นต่อจาก Blackwell (GB200) จะเป็นหัวใจสำคัญของ NVIDIA ในการรักษาความเป็นผู้นำในตลาด AI ที่เติบโตอย่างรวดเร็ว การพัฒนานี้ไม่เพียงแสดงถึงความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีของ NVIDIA และ TSMC แต่ยังสะท้อนถึงแนวโน้มของอุตสาหกรรมในการใช้ advanced packaging เพื่อก้าวข้ามข้อจำกัดของการย่อขนาดทรานซิสเตอร์แบบดั้งเดิม
ทั้งนี้ ข้อมูลดังกล่าวยังไม่ได้รับการยืนยันอย่างเป็นทางการจาก NVIDIA หรือ TSMC และอยู่ในขั้นตอนของการวิจัย ซึ่งอาจมีการเปลี่ยนแปลงในอนาคต
ข้อมูล: https://x.com/Sino_Market/status/1963807239158071790