Samsung พัฒนา RAM DDR5 ลดการใช้พลังงาน 13% เร็วกว่า DDR4 สองเท่า ความจุ 512GB ต่อโมดูล

ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ ประกาศว่าได้ขยายสายการผลิตหน่วยความจำ (RAM) DDR5 ด้วยโมดูลขนาด 512GB เป็นตัวแรกของอุตสาหกรรมที่ใช้เทคโนโลยีการผลิตแบบ High-K Metal Gate โดยจะให้ประสิทธิภาพสูงกว่า DDR4 สองเท่า โดยให้แบนด์วิดท์สูงถึง 7200Mbps สำหรับ DDR5 ใหม่นี้จะเหมาะกับการประมวลผลขั้นสูงในระดับซูเปอร์คอมพิวเตอร์, ระบบประมวลผล AI และการเรียนรู้ของเครื่อง (ML: Machine Learning) รวมถึงระบบสำหรับแอปพลิเคชันการวิเคราะห์ข้อมูล

การเปลี่ยนมากระบวนการผลิตแบบเดิมมาเป็น HKMG ใน DDR5 นี้เพราะต้องการลดขนาดโครงสร้างของ DRAM ลง ทำให้ชั้นฉนวนมีความบางลงและอาจจะส่งผลในเรื่องของกระแสไฟฟ้ารั่วได้ง่ายขึ้น เมื่อเปลี่ยนมาใช้กระบวนการผลิตแบบ HKMG ก็สามารถลดการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้า และทำให้สามารถเพิ่มความเร็วในการทำงานได้ อีกทั้งหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังใช้พลังงานลดลงถึง 13% ทำให้เหมาะอย่างยิ่งกับศูนย์ข้อมูลที่ต้องการทั้งประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงาน

กระบวนการ HKMG ของซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ ถูกนำมาใช้ครั้งแรกในการผลิตหน่วยความจำ GDDR6 ในปี 2018 ส่วนใน DDR5 นั้นถือเป็นครั้งแรกของอุตสาหกรรม

นอกจากนี้การใช้ประโยชน์ของซิลิคอนผ่านทางเทคโนโลยี TSV ทำให้ซัมซุงสามารถสร้างชิป DDR5 ด้วยความจุแบบ 16Gb ต่อเลเยอร์ได้ และเป็นการใช้เลเยอร์หน่วยความจำ 8 ชั้นเพื่อให้มีความจุสูงสุดที่ 512GB สำหรับเทคโนโลยี TSV ซัมซุงก็ได้นำมาใช้งานครั้งแรกตั้งแต่ปี 2014 ในการผลิตโมดูลหน่วยความจำของเซิร์ฟเวอร์ที่มีความจุสูงถึง 256GB เป็นรายแรกในเวลานั้น

ข้อมูล news.samsung.com