Digitimes ได้รายงานว่าตลาด DRAM กำลังเผชิญกับการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญ เนื่องจากราคาที่ลดลงจากความต้องการที่ซบเซา ทำให้ผู้ผลิตรายใหญ่ เช่น Samsung, SK Hynix และ Micron ต้องปรับกลยุทธ์ โดยหันไปพัฒนา DDR5 และ High-Bandwidth Memory (HBM) พร้อมทั้งเตรียม ยุติการผลิต DDR3 และ DDR4 ภายในปี 2025 เพื่อมุ่งสู่เทคโนโลยีหน่วยความจำขั้นสูงในอนาคต

แหล่งข่าวจาก Nikkei ระบุว่า ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ทั้งสามรายอาจยุติการผลิต DDR3 และ DDR4 ภายในสิ้นปี 2025 ซึ่งอาจส่งผลให้เกิด ภาวะขาดแคลนสินค้า ตั้งแต่ช่วงหลังฤดูร้อนของปีดังกล่าว โดยปริมาณสินค้าในตลาดจะพึ่งพาผู้ผลิตไต้หวันเป็นหลักเพื่อเติมเต็มช่องว่างนี้ ทั้งนี้ ผู้จัดจำหน่ายชิ้นส่วนรายหนึ่ง ชี้ว่า การหยุดการผลิตดังกล่าวอาจนำไปสู่ปัญหาด้านซัพพลาย และกระทบต่อโครงสร้างราคาของตลาด

บริษัท Nanya Technology ของไต้หวันคาดการณ์ว่า ตลาด DRAM จะถึงจุดต่ำสุดในช่วงครึ่งปีแรกของ 2025 แต่จะเริ่มฟื้นตัวตั้งแต่ไตรมาสที่สองเป็นต้นไป โดยได้รับแรงหนุนจากความต้องการที่เพิ่มขึ้น การบริหารสินค้าคงคลังที่ดีขึ้น และมาตรการกระตุ้นเศรษฐกิจทั่วโลก นอกจากนี้ ความต้องการ AI Cloud Computing ยังคงแข็งแกร่ง ซึ่งจะช่วยขับเคลื่อนตลาด Edge Computing ในขณะที่ตลาดฝั่งผู้บริโภคอาจฟื้นตัวเพียงเล็กน้อย แม้ว่าจะได้รับปัจจัยบวกจากมาตรการกระตุ้นเศรษฐกิจในระดับภูมิภาค

ในส่วนของซัพพลาย คาดการณ์ว่าอุตสาหกรรม DRAM จะมีปริมาณเพิ่มขึ้นอย่างมากในปี 2025 โดยมีส่วนสำคัญของกำลังการผลิตใหม่มุ่งไปที่ HBM และ DDR5 ซึ่งแสดงให้เห็นถึง การเปลี่ยนผ่านเชิงกลยุทธ์ ของผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ ที่ทุ่มทรัพยากรเพื่อเพิ่มขีดความสามารถในการผลิต HBM

ในขณะที่ความต้องการสำหรับผลิตภัณฑ์ DDR รุ่นเก่าลดลง Winbond Electronics ได้เร่งกระบวนการผลิต โดย เตรียมเปลี่ยนไปใช้กระบวนการผลิตที่ขนาด 16nm ในช่วงครึ่งปีหลังของ 2025 ซึ่งเป็นการอัปเกรดจากเทคโนโลยี 20nm ที่ใช้ในปัจจุบัน โดยเฉพาะกับ หน่วยความจำ 4Gb DDR3 และ DDR4 ซึ่งการเปลี่ยนแปลงนี้จะช่วยให้ Winbond สามารถผลิต หน่วยความจำ 8Gb DDR ได้

ทั้งนี้ inSpectrum รายงานว่า ราคา DDR5 ในตลาดยังคงเพิ่มขึ้น แม้ว่าภาพรวมของตลาดจะซบเซา ขณะที่ราคา DDR4 ยังคงทรงตัว ส่วน DDR3 มีแนวโน้มราคาลดลงต่อเนื่อง ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา