Intel และ SAIMEMORY บริษัทในเครือ SoftBank ร่วมมือกันเพื่อพัฒนา Z-Angle Memory (ZAM) หน่วยความจำรุ่นใหม่สำหรับ AI
อินเทล (Intel Corp.) ประกาศความร่วมมือกับ SAIMEMORY บริษัทในเครือของ SoftBank Corp. จากประเทศญี่ปุ่น เพื่อพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรูปแบบใหม่ภายใต้โครงการ Z‑Angle Memory (ZAM) มุ่งตอบโจทย์งานปัญญาประดิษฐ์ (AI) และการประมวลผลสมรรถนะสูง (HPC) ที่ต้องการแบนด์วิดท์และประสิทธิภาพด้านหน่วยความจำสูงกว่ามาตรฐานในปัจจุบันอย่างมีนัยสำคัญ
จุดเด่นของเทคโนโลยี Z‑Angle Memory
SAIMEMORY ซึ่งเป็นบริษัทลูกของผู้ให้บริการโทรคมนาคมและไอที SoftBank Corp. ในโตเกียว กำลังพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแบบ DRAM ที่มีการเรียงซ้อนกัน (stacked DRAM) รุ่นใหม่ที่มีสมรรถนะเหนือมาตรฐาน High Bandwidth Memory (HBM) ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน โดยออกแบบมาเพื่อ:
- เพิ่มความจุหน่วยความจำได้อย่างมีนัยสำคัญ
- ลดการใช้พลังงานลงอย่างมาก
- ยกระดับเทคโนโลยีแพ็กเกจจิ้งให้ลดคอขวดด้านหน่วยความจำในการสเกลระบบ AI ขนาดใหญ่
แนวทางนี้ถูกวางให้เป็นอีกขั้นของวิวัฒนาการหน่วยความจำสำหรับศูนย์ข้อมูล AI และงานประมวลผลที่ต้องใช้แบนด์วิดท์สูง เช่น โมเดลขนาดใหญ่และการจำลองเชิงวิทยาศาสตร์
ตารางเปรียบเทียบความแตกต่างระหว่าง HBM และ ZAM
| คุณสมบัติ | HBM (High Bandwidth Memory) | Z-Angle Memory (ZAM) |
| ผู้พัฒนาหลัก | มาตรฐานกลาง JEDEC (SK Hynix, Samsung, Micron ร่วมกันพัฒนา) | Intel ร่วมกับ Saimemory (SoftBank) |
| เทคโนโลยีการเชื่อมต่อ | ใช้ TSV และ Microbumps เชื่อมต่อแต่ละชั้น | ใช้ Next-Gen Bonding (ลดระยะห่างระหว่างชั้นลงอีก) |
| การใช้พลังงาน | ค่อนข้างสูง (เป็นปัญหาความร้อนในชิป AI) | ต่ำกว่า HBM ประมาณ 40-50% |
| ความจุสูงสุด (เป้าหมาย) | ประมาณ 36GB – 48GB ต่อ Stack (HBM3E) | สูงถึง 512GB ต่อชิป |
| จุดเด่นที่สุด | แบนด์วิดท์ (ความเร็ว) สูงมหาศาล | ความจุสูงมาก + กินไฟต่ำมาก (Power Efficiency) |
| สถานะปัจจุบัน | ใช้งานจริงใน GPU AI (NVIDIA H100/B200) | อยู่ในขั้นตอนพัฒนา (คาดว่ามาปี 2029-2030) |
กำหนดการของโครงการ
ภายใต้ความร่วมมือครั้งนี้ อินเทลจะทำหน้าที่เป็นพาร์ตเนอร์ด้านเทคโนโลยี นวัตกรรม และมาตรฐาน ส่วน SAIMEMORY จะรับบทผู้นำด้านเทคโนโลยีและการทำให้เชิงพาณิชย์ของ ZAM
- ตั้งเป้าเริ่มดำเนินการในไตรมาส 1 ปี 2026
- มีต้นแบบ (prototype) ในปี 2027
- มุ่งสู่การทำตลาดเชิงพาณิชย์ภายในปี 2030
โมเดลความร่วมมือนี้สะท้อนกลยุทธ์ของอินเทลในการเชื่อมโยงงานวิจัยขั้นพื้นฐาน เข้ากับระบบนิเวศอุตสาหกรรมและพาร์ตเนอร์ระดับโลกเพื่อผลักดันมาตรฐานหน่วยความจำยุคใหม่สำหรับ AI
พื้นฐานจากโครงการ AMT และ NGDB
เทคโนโลยีของ SAIMEMORY สานต่อจากงานวิจัยในโครงการ Advanced Memory Technology (AMT) R&D Program ซึ่งได้รับการสนับสนุนจากกระทรวงพลังงานสหรัฐฯ (DOE) และ National Nuclear Security Administration ผ่านห้องปฏิบัติการระดับชาติอย่าง Sandia, Lawrence Livermore และ Los Alamos
อินเทลระบุว่าการพัฒนาช่วงแรกภายใต้ทุน AMT มีบทบาทสำคัญในการพิสูจน์แนวคิดและประสิทธิภาพของสถาปัตยกรรม DRAM ซ้อนชั้น ขณะเดียวกันอินเทลยังผลักดันโครงการ Next Generation DRAM Bonding (NGDB) ที่แสดงให้เห็นถึงความหนาแน่นและแบนด์วิดท์ของ DRAM ที่สูงขึ้น พร้อมลดทั้ง latency และการใช้พลังงาน
ดร. Joshua Fryman ตำแหน่ง Intel Fellow และ CTO ของ Intel Government Technologies ระบุว่าโครงการ NGDB สาธิตสถาปัตยกรรมหน่วยความจำแบบใหม่และเมธอดการประกอบที่ “ปฏิวัติ” วงการ สามารถเพิ่มสมรรถนะ DRAM ลดการใช้พลังงาน และปรับโครงสร้างต้นทุนหน่วยความจำให้เหมาะสม พร้อมชี้ว่า “สถาปัตยกรรมหน่วยความจำมาตรฐานในปัจจุบันไม่สามารถตอบสนองความต้องการของ AI ได้” จึงต้องสร้างแนวทางใหม่เพื่อขับเคลื่อนการเติบโตในทศวรรษหน้า
เชื่อมงานวิจัยสหรัฐ–ญี่ปุ่นสู่การใช้งานระดับโลก
อินเทลจะนำองค์ความรู้จากโครงการ AMT และ NGDB มาใช้สนับสนุนโปรแกรม ZAM ร่วมกับ SAIMEMORY โดยการเปลี่ยนผ่านจาก AMT สู่ ZAM ไม่เพียงสะท้อนการต่อยอดงานวิจัยจากห้องปฏิบัติการระดับชาติไปสู่การใช้งานเชิงพาณิชย์เท่านั้น แต่ยังตอกย้ำความร่วมมือด้านเทคโนโลยีระหว่างสหรัฐอเมริกาและญี่ปุ่นในห่วงโซ่หน่วยความจำยุคใหม่สำหรับ AI อีกด้วย
ที่มาข้อมูล: Policy@Intel