ตลาดหน่วยความจำจีนเผชิญวิกฤต “ปั่นราคารายวัน” หลังผู้ผลิตรายใหญ่หยุดให้ราคา DRAM และ NAND

หลังจากมีรายงานข่าวจากสื่อต่างประเทศว่า ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ของเกาหลีใต้ได้ปรับขึ้นราคา DRAM สูงสุดถึง 30% ส่งผลให้ตลาดหน่วยความจำของจีนตกอยู่ภายใต้แรงกดดันอย่างหนัก โดยบรรดาผู้ผลิตบางรายถึงกับ ‘หยุดแจ้งราคา’ (halt quote) สำหรับผลิตภัณฑ์ DRAM และ NAND Flash ในบางรุ่น และหากมีการเสนอราคาก็จะมีอายุสั้นมากจนเรียกว่าเปลี่ยนแปลงกันรายวัน

จากข้อมูลของ Calian Press และ Commercial Times รวมถึงการยืนยันจากผู้ก่อตั้งบริษัท Xiaomi นาย Lei Jun บน Weibo ในวันที่ 24 ตุลาคมที่ผ่านมา ได้ข้อสรุปว่าราคาหน่วยความจำได้พุ่งสูงขึ้นอย่างมากต่อเนื่องในช่วงไม่กี่เดือนที่ผ่านมา

ผลกระทบที่เห็นได้ชัดเกิดขึ้นกับผู้ผลิตโมดูลในจีนหลายราย โดยราคาของ DDR4 จากผู้ผลิตต้นน้ำปรับตัวสูงขึ้นอย่างต่อเนื่องตั้งแต่ไตรมาสแรกของปี 2025 ข้อมูลจากแอป Manmanbuy พบว่า โมดูลหน่วยความจำ Kingston DDR4 สำหรับเดสก์ท็อปมีราคาสูงกว่าปีที่แล้วมากกว่าสองเท่า

แนวโน้มการขึ้นราคายังคงดำเนินต่อไป

TrendForce วิเคราะห์ว่า เนื่องจาก HBM (High Bandwidth Memory) ใช้ทรัพยากรแผ่นเวเฟอร์มากกว่าหน่วยความจำ DRAM ปกติถึง 3 เท่า ทำให้ผู้ผลิตรายใหญ่มุ่งเน้นสายการผลิตไปที่สินค้าขอบกำไรสูงอย่าง HBM และ DDR5 จึงเกิดภาวะขาดแคลน DDR4 และ LPDDR4X ที่ยังใช้ในสินค้าอุปโภคบริโภค

TrendForce ยังคาดการณ์อีกว่า การขาดแคลน DDR4 อาจต่อเนื่องไปถึงครึ่งปีแรกของปี 2026 ขณะที่ราคาตลาด DRAM โดยรวม (รวม HBM) ในไตรมาส 4 ปีนี้มีแนวโน้มเพิ่มขึ้น 13–18% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อนหน้า

ดีมานด์ AI และข้อจำกัดกำลังการผลิต ดันราคาขึ้นต่อเนื่อง

รายงานจาก Calian Press ชี้ให้เห็นว่าปีนี้ ราคาชิปหน่วยความจำไม่ได้ปรับขึ้นแบบวัฏจักรเดียวเหมือนปีก่อน ๆ แต่ราคาขยับขึ้นต่อเนื่องกว่า 6 เดือน และในไตรมาส 4 ก็ยังไม่มีวี่แววว่าจะชะลอตัว โดยมีปัจจัยซ้อนทับกันหลายด้าน

TrendForce มองว่า ช่วงไตรมาส 2–3 ปี 2025 ที่ผ่านมา การปรับขึ้นราคามาจากการประกาศยุติการผลิต DDR4 และการถือสต็อกล่วงหน้าเนื่องจากความตึงเครียดด้านภาษีระหว่างสหรัฐฯ กับจีน ส่วนไตรมาส 4 ปี 2025 ถึงครึ่งปีแรกของปี 2026 การลงทุนเร่งด่วนของศูนย์ข้อมูลในอเมริกาเหนือด้าน AI รวมถึงการใช้งาน DDR5, LPDDR5X และ HBM คือแรงขับเคลื่อนหลัก

เนื่องจากการขยายกำลังการผลิตยังตามความต้องการไม่ทัน ภาวะขาดแคลนสินค้ากลุ่ม DRAM และ NAND ในเทคโนโลยีเก่ายังคงจะทวีความรุนแรงขึ้น ผู้ผลิตในจีนจึงเร่งกักตุนวัตถุดิบและเห็นการขยายตัวของกำไรอย่างมีนัยสำคัญตั้งแต่เดือนสิงหาคมที่ผ่านมา

สรุป: ตลาดหน่วยความจำกำลังเผชิญการเปลี่ยนแปลงรายวันทั้งด้านราคาและอุปทาน โดยมีปัจจัยด้านเทคโนโลยี AI และความตึงเครียดทางการค้าระหว่างมหาอำนาจเป็นตัวเร่งความเปลี่ยนแปลง ผู้บริโภคและผู้ประกอบการควรจับตามองสถานการณ์นี้ต่อไปอย่างใกล้ชิด

ข้อมูล: Trendforce