SK Hynix เผยแผนงาน DRAM สู่ปี 2031: เตรียมรับยุค AI เต็มรูปแบบ พร้อมเทคโนโลยี DDR6, LPDDR6, GDDR8 และ 3D DRAM!

SK Hynix ยักษ์ใหญ่ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ ได้ประกาศแผนพัฒนา DRAM ระยะยาวไปจนถึงปี 2031 ในงาน SK AI Summit 2025 ซึ่งเผยให้เห็นถึงทิศทางการพัฒนาที่มุ่งเน้นการรองรับการเติบโตอย่างก้าวกระโดดของเทคโนโลยีปัญญาประดิษฐ์ (AI) โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกลุ่มหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง (HBM) รวมถึงมาตรฐานใหม่ ๆ อย่าง DDR6 และ GDDR8 ที่กำลังจะมาถึง

แผนงานที่เปิดเผยออกมานี้แม้จะเป็นไปในลักษณะกว้าง ๆ แต่ก็แสดงให้เห็นอย่างชัดเจนถึงวิสัยทัศน์ของ SK Hynix ในการเป็นผู้นำด้าน “Full-stack AI Memory Creator” หรือผู้สร้างสรรค์หน่วยความจำ AI ครบวงจร ซึ่งจะขยายบทบาทจากผู้ผลิตชิปไปสู่การทำงานร่วมกับลูกค้าอย่างใกล้ชิดเพื่อตอบโจทย์ความท้าทายใหม่ ๆ ในยุค AI

การเร่งเครื่องในตลาด AI ด้วย HBM เจเนอเรชันถัดไป

สิ่งที่เป็นหัวใจสำคัญของแผนงานนี้คือการพัฒนาหน่วยความจำ HBM (High Bandwidth Memory) อย่างต่อเนื่อง ซึ่งเป็นเทคโนโลยีที่สำคัญที่สุดสำหรับเซิร์ฟเวอร์ AI และ HPC (High-Performance Computing) โดย SK Hynix คาดการณ์ว่าตลาด HBM จะเติบโตกว่า 30% ต่อปีไปจนถึงปี 2030

• HBM4 และ HBM4E: มีกำหนดเปิดตัวในช่วงปี 2026-2028 โดยจะเริ่มเข้าสู่กระบวนการผลิตและจัดส่งในปี 2026 ด้วยรุ่น 16-layer และจะมีการพัฒนาเป็น HBM4E
• HBM5 และ HBM5E: มีแผนพัฒนาในช่วงปี 2029-2031 พร้อมกับโซลูชัน Custom HBM ที่จะอนุญาตให้ลูกค้าสามารถเพิ่มฟังก์ชันตรรกะ (Logic Functions) ลงใน Base Die ของหน่วยความจำได้ ซึ่งเป็นการปรับแต่งหน่วยความจำให้เหมาะสมกับเวิร์กโหลด AI ที่เฉพาะเจาะจงมากขึ้น

การพัฒนา HBM ที่รวดเร็วและการนำเสนอ Custom HBM แสดงให้เห็นถึงการปรับกลยุทธ์ของ SK Hynix ที่ต้องการก้าวข้ามการเป็นเพียงผู้ผลิตสินค้าโภคภัณฑ์ (Commodity) โดยมุ่งเน้นที่การเป็นพันธมิตรทางเทคนิคที่นำเสนอโซลูชันแบบปรับแต่งได้ ซึ่งเป็นสิ่งที่ผู้เล่นหลักในตลาด AI อย่าง NVIDIA และลูกค้า Data Center รายใหญ่ต้องการ เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลต่อพลังงาน (Performance/Watt) และสร้างความได้เปรียบในการแข่งขันในตลาด AI ที่ดุเดือด

มาตรฐาน DRAM ทั่วไป: ยืดอายุ DDR5 และการมาถึงของ DDR6

สำหรับหน่วยความจำประเภทดั้งเดิม (Conventional DRAM) ที่ใช้ในคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและแล็ปท็อป ก็มีการวางแผนพัฒนาอย่างต่อเนื่อง แต่ในจังหวะที่แตกต่างออกไป:

• DDR6: ถูกวางไว้ในช่วงปี 2029-2031 ซึ่งบ่งชี้ว่า DDR5 จะยังคงเป็นมาตรฐานหลักในตลาดพีซีทั่วไปไปอีกหลายปี และจะมีการพัฒนาประสิทธิภาพอย่างต่อเนื่อง
• LPDDR6: สำหรับอุปกรณ์พลังงานต่ำ (Low-power devices) คาดว่าจะมาเร็วกว่า โดยมีกำหนดในช่วง 2026-2028 ซึ่งจะมาพร้อมกับฟีเจอร์ที่เน้น Data Center และโซลูชัน LPDDR5X SoCAMM2 สำหรับแล็ปท็อปประสิทธิภาพสูง
• GDDR7-Next (หรือ GDDR8): หน่วยความจำสำหรับกราฟิกการ์ด ถูกกำหนดไว้ในช่วงปี 2029-2031 ซึ่งจะเป็นการต่อยอดจาก GDDR7 ที่กำลังจะเปิดตัวในเร็ว ๆ นี้

เทคโนโลยีแห่งอนาคต: 3D DRAM และ NAND

นอกจากนี้ SK Hynix ยังเผยแผนสำหรับเทคโนโลยีล้ำหน้าอื่น ๆ:

• 3D DRAM: ถูกบรรจุไว้ในช่วง 2029-2031 โดยมีเป้าหมายเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของหน่วยความจำ ลดความหน่วง (Latency) และลดการใช้พลังงาน โดยไม่ต้องพึ่งพาการลดขนาดกระบวนการผลิต (Node Shrink) มากนัก ซึ่งเป็นการวางรากฐานสำคัญสำหรับการพัฒนาหน่วยความจำในทศวรรษหน้า
• NAND Flash (Storage): มีการวางแผนสำหรับ 4D NAND ที่มีเลเยอร์มากกว่า 400 ชั้น และโซลูชัน PCIe Gen 6 eSSD/cSSD พร้อมความจุสูงระดับ QLC (Quad-Level Cell) มากกว่า 245TB ในช่วง 2026-2028 เพื่อตอบสนองความต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ของ Data Center

การเปิดเผยแผนงานครั้งนี้เป็นการตอกย้ำถึงความมุ่งมั่นของ SK Hynix ที่จะขับเคลื่อนนวัตกรรมหน่วยความจำเพื่อสนับสนุนการปฏิวัติ AI ที่กำลังเกิดขึ้น โดยเฉพาะอย่างยิ่งในกลุ่มผลิตภัณฑ์ประสิทธิภาพสูงอย่าง HBM ซึ่งจะเป็นตัวกำหนดทิศทางของอุตสาหกรรมชิปในอีกหลายปีข้างหน้า

ข้อมูล: Trendforce