SK hynix, Samsung และ SanDisk เปิดศึก HBF (High Bandwidth Flash) หน่วยความจำความจุสูงสำหรับตลาด AI

คิม จอง-โฮ ศาสตราจารย์จากสถาบันเทคโนโลยีแห่งเกาหลีขั้นสูง (KAIST) และผู้ถูกขนานนามว่า “บิดาแห่ง HBM (High Bandwidth Memory)” ได้เผยวิสัยทัศน์สำคัญผ่านรายการยูทูบ โดยระบุว่าอำนาจในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์กำลังเปลี่ยนผ่านจาก GPU สู่หน่วยความจำ ซึ่งจะกลายเป็นหัวใจหลักของระบบคลัสเตอร์ AI เขายังชี้ว่า HBF (High Bandwidth Flash) เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชความเร็วสูง กำลังจะกลายเป็นอาวุธลับที่จะแก้ปัญหาคอขวดด้านความจุข้อมูล โดยคาดว่าจะมีความคืบหน้าอย่างเห็นได้ชัดในช่วงต้นปี 2026 และเปิดตัวอย่างเป็นทางการระหว่างปี 2027-2028

HBF: คู่หู NAND Flash ที่จะปฏิวัติการจัดเก็บข้อมูล AI

HBF ถือเป็นเทคโนโลยีรุ่นถัดไปที่ต่อยอดจาก HBM โดยใช้เทคนิค Through-Silicon Via (TSV) เพื่อซ้อนชิปแบบแนวตั้งหลายชั้น แต่ต่างกันตรงที่ HBF ใช้ฐาน NAND Flash ซึ่งให้ความจุที่สูงกว่ามากและต้นทุนต่ำกว่า แม้ความเร็วจะช้ากว่า DRAM แต่ความจุสามารถมากกว่า 10 เท่า หากซ้อนชั้นได้ถึงหลักร้อยหรือพันชั้น HBF จะตอบโจทย์ความต้องการจัดเก็บข้อมูลมหาศาลของโมเดล AI ได้อย่างสมบูรณ์แบบ ทำให้กลายเป็น “HBM เวอร์ชัน NAND” ที่แท้จริง

ศาสตราจารย์คิม กล่าวเพิ่มเติมว่า “ยุค HBM กำลังสิ้นสุดลง – ยุค HBF กำลังมา” โดย HBF จะช่วยแก้ปัญหาการเปลี่ยนผ่านจาก HDD แบบดั้งเดิมสู่เทคโนโลยี Heat-Assisted Magnetic Recording (HAMR) ที่มีต้นทุนสูง ในขณะที่ SSD แบบ Nearline กำลังได้รับความนิยมมากขึ้นในฐานะทางเลือกที่คุ้มค่ากว่า

SanDisk และ SK hynix ลง MOU สร้างมาตรฐานร่วมกัน

บริษัทชั้นนำในวงการเริ่มลงสนามแข่งขันกันแล้ว SanDisk และ SK hynix ได้ลงนามบันทึกความเข้าใจ (MOU) เมื่อเดือนสิงหาคม 2568 เพื่อกำหนดมาตรฐานทางเทคนิคของ HBF ร่วมกัน โดยวางแผนปล่อยตัวอย่างหน่วยความจำ HBF ในช่วงครึ่งปีหลังของปี 2569 และระบบ AI สำหรับการอนุมาน (Inference) ชุดแรกที่ใช้ HBF คาดว่าจะเปิดตัวในช่วงต้นปี 2570

ที่งาน OCP Global Summit 2025 เมื่อกลางเดือนตุลาคม SK hynix ยังได้เปิดตัวตระกูลผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูล “AIN Family” โดยเฉพาะซีรีส์ AIN B ที่ขับเคลื่อนด้วยเทคโนโลยี HBF ซึ่งออกแบบมาเพื่อรองรับการใช้งานในศูนย์ข้อมูล AI โดยเฉพาะ ขณะที่ Samsung Electronics ก็เริ่มงานออกแบบแนวคิดเบื้องต้นสำหรับผลิตภัณฑ์ HBF ของตัวเอง โดยอาศัยประสบการณ์ R&D ในเทคโนโลยีจัดเก็บความเร็วสูงที่ผ่านมา เพื่อตอบสนองความต้องการหน่วยความจำแฟลชความเร็วสูงสำหรับศูนย์ข้อมูล อย่างไรก็ตาม โครงการของ Samsung ยังอยู่ในระยะเริ่มต้น โดยรายละเอียดสเปกและกำหนดการผลิตจำนวนมากยังไม่ชัดเจน

ความจุหน่วยความจำคือกุญแจสู่ประสิทธิภาพ AI

ในยุคที่ AI Inference กำลังมีความต้องการมากขึ้นความจุของหน่วยความจำกำลังกลายเป็นปัจจัยหลักที่กำหนดประสิทธิภาพ โดยเฉพาะการเพิ่มประสิทธิภาพการใช้งานหน่วยความจำ เช่น KV Caching ซึ่งทำหน้าที่เป็น “หน่วยความจำระยะสั้น” สำหรับโมเดล AI และส่งผลต่อความเร็วในการตอบสนอง HBF จึงถูกมองว่าเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำรุ่นใหม่ที่สำคัญคู่กับ HBM ซึ่งจะขับเคลื่อนการเติบโตของผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอนาคต

ศาสตราจารย์คิม วาดภาพอนาคตของสถาปัตยกรรม AI ในรูปแบบลำดับชั้นหน่วยความจำหลายชั้น; SRAM ใน GPU เป็น “สมุดบันทึกบนโต๊ะ” ที่เร็วที่สุดแต่ความจุน้อย; HBM เป็น “ชั้นหนังสือใกล้ตัว” สำหรับการเข้าถึงและคำนวณรวดเร็ว; HBF เป็น “ห้องสมุดใต้ดิน” ที่เก็บความรู้ลึกซึ้งของ AI และส่งข้อมูลไปยัง HBM; และคลาวด์สตอเรจเป็น “ห้องสมุดสาธารณะ” ที่เชื่อมต่อผ่านเครือข่ายออปติคัล เขาคาดการณ์ว่า GPU ในอนาคตจะรวม HBM และ HBF เข้าด้วยกันในรูปแบบที่เสริมกันและกัน สร้างยุคใหม่ของการหลอมรวมการคำนวณและหน่วยความจำสำหรับ AI

HBF จะเป็นสนามรบหลักของวงการ

HBF กำลังก้าวขึ้นเป็น “สนามรบ” ใหม่ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ ท่ามกลางการเปลี่ยนแปลงที่ขับเคลื่อนโดย AI โดย SK hynix, Samsung และ SanDisk ต่างกำลังทุ่มทุนพัฒนาเพื่อชิงความเป็นผู้นำ หาก HBF ประสบความสำเร็จจริง จะไม่เพียงแก้ปัญหาความจุข้อมูล แต่ยังเร่งให้เกิดนวัตกรรมใหม่ ๆ ในศูนย์ข้อมูลและระบบ AI ทั่วโลก

ข้อมูล: Trendforce