Kioxia เปิดตัว SSD NVMe LC9 ความจุ 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

Kioxia Corporation ซึ่งเป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา SSD NVMe™ 122.88 เทราไบต์ (TB) ซีรีส์ KIOXIA LC9 รุ่นใหม่ในฟอร์มแฟกเตอร์ขนาด 2.5 นิ้ว ซึ่งเป็น SSD ตัวแรกที่สร้างขึ้นโดยใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ขนาด 2 เทราบิต (Tb) QLC ของบริษัท โดยซีรีส์ KIOXIA LC9 ซึ่งอยู่ระหว่างการพัฒนา จะนำไปจัดแสดงในงานสัมมนาต่างๆ ที่จะจัดขึ้นในเดือนนี้

SSD NVMe ซีรีส์ KIOXIA LC9 ความจุสูง 122.88 TB สำหรับแอปพลิเคชัน AI

เนื่องจากระบบ AI มีความซับซ้อนมากขึ้นเรื่อยๆ และปริมาณข้อมูลยังคงเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง องค์กรต่างๆ จึงต้องการโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลที่สามารถรับมือกับความต้องการที่ซับซ้อนของเวิร์กโหลดสมัยใหม่ได้ ไดรฟ์ความจุสูงมีความสำคัญต่อบางขั้นตอนของกระบวนการ AI รวมถึงโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLM) การฝึกอบรมและการจัดเก็บชุดข้อมูลจำนวนมาก ฐานข้อมูลเวกเตอร์ และการดึงข้อมูลอย่างรวดเร็วเพื่อการอนุมานและการปรับแต่ง ไดรฟ์ KIOXIA ระดับองค์กรรุ่นใหม่ได้รับการออกแบบมาสำหรับแอปพลิเคชัน AI เชิงสร้างสรรค์ โดยสร้างขึ้นให้มีความจุสูงและมีอินเทอร์เฟซ PCIe^® 5.0 พร้อมความสามารถพอร์ตคู่สำหรับการทนทานต่อข้อผิดพลาดหรือการเชื่อมต่อกับระบบคอมพิวเตอร์หลายระบบ SSD ที่ใช้ QLC ความจุสูงเหล่านี้เหมาะสำหรับการใช้งานในระบบไฮบริดคลาวด์และระบบมัลติคลาวด์ SSD ความจุสูงส่งข้อมูลการฝึกอบรมและการอนุมานไปยังระบบเซิร์ฟเวอร์ AI ผ่านการกำหนดค่าคลาวด์เหล่านี้

SSD KIOXIA ใหม่นี้จะมาเสริมเทคโนโลยี KIOXIA AiSAQ™ ที่เพิ่งประกาศไปไม่นานนี้ ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ RAG (Retrieval Augmented Generation) ที่ปรับขนาดได้ โดยจัดเก็บองค์ประกอบฐานข้อมูลเวกเตอร์บน SSD แทน DRAM ที่มีราคาแพงและจำกัด นอกจากนี้ ยังช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพของระบบและระดับแร็คด้วยความหนาแน่นของพื้นที่จัดเก็บที่สูงขึ้นและการใช้พลังงานต่อ TB ที่ต่ำลงเมื่อเทียบกับ SSD ที่มีความจุต่ำกว่า

จุดเด่นของ SSD ซีรีส์ KIOXIA LC9 ได้แก่:

• ฟอร์มแฟกเตอร์ SSD พอร์ตคู่ขนาด 2.5 นิ้ว ความจุ 122.88 TB ความทนทาน 0.3 DWPD
•  NVMe™ 2.0, NVMe-MI™ และ PCIe^® ซึ่งเป็นไปตามข้อกำหนด 5.0 (อัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 128 กิกะบิตต่อวินาที Gen5 เดี่ยว x4, ประสิทธิภาพการทำงานแบบคู่ x2)
• คุณสมบัติหน่วยความจำแฟลช 3D KIOXIA 2 Tb QLC BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 พร้อมเทคโนโลยี CBA (CMOS เชื่อมต่อกับอาร์เรย์โดยตรง) ช่วยให้ผลิตผลิตภัณฑ์มีความจุสูง ประสิทธิภาพสูง และประหยัดพลังงาน

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

หมายเหตุ
*2.5 นิ้วบ่งบอกถึงขนาดของ SSD ไม่ใช่ขนาดทางกายภาพ

*คำจำกัดความของความจุ: Kioxia Corporation กำหนดให้ 1 กิกะไบต์ (GB) เท่ากับ 1,000,000,000 ไบต์ และ 1 เทราไบต์ (TB) เท่ากับ 1,000,000,000,000 ไบต์ อย่างไรก็ตาม ระบบปฏิบัติการคอมพิวเตอร์จะรายงานความจุของพื้นที่จัดเก็บโดยใช้เลขยกกำลัง 2 สำหรับคำจำกัดความของ 1GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ และ 1TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์ และด้วยเหตุนี้จึงแสดงความจุในการจัดเก็บที่น้อยลง ความจุในการจัดเก็บที่พร้อมใช้งาน (รวมถึงตัวอย่างไฟล์สื่อต่างๆ) จะแตกต่างกันไปตามขนาดไฟล์ การจัดรูปแบบ การตั้งค่า ซอฟต์แวร์และระบบปฏิบัติการ และ/หรือแอปพลิเคชันซอฟต์แวร์ที่ติดตั้งไว้ล่วงหน้า หรือเนื้อหาสื่อ ซึ่งความจุที่จัดรูปแบบจริงอาจแตกต่างกันไป

*DWPD: การเขียนไดรฟ์ต่อวัน การเขียนไดรฟ์เต็มหนึ่งครั้งต่อวันหมายความว่าสามารถเขียนและเขียนซ้ำไดรฟ์จนเต็มความจุได้หนึ่งครั้งต่อวันทุกวันเป็นเวลา 5 ปี ซึ่งเป็นระยะเวลาการรับประกันผลิตภัณฑ์ที่ระบุไว้ ผลลัพธ์ที่แท้จริงอาจแตกต่างกันไปเนื่องจากการกำหนดค่าระบบ การใช้งาน และปัจจัยอื่นๆ

*NVMe และ NVMe-MI เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนและไม่ได้จดทะเบียนของ NVM Express, Inc. ในสหรัฐอเมริกาและประเทศอื่นๆ
*PCIe เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ PCI-SIG
*ชื่อบริษัทอื่นๆ ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม